ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपोलर (बीज्ट) - एकल, पूर्व-पक्

MUN5116T1

भाग स्टक: 1949

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

SMUN5114T1G

भाग स्टक: 110208

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

DTC144TM3T5G

भाग स्टक: 116547

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

MUN5232T1G

भाग स्टक: 100365

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

NSBC123TF3T5G

भाग स्टक: 119007

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

NSVMMUN2230LT1G

भाग स्टक: 173789

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 1 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

RN2312(TE85L,F)

भाग स्टक: 147502

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

भाग स्टक: 2025

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

ईच्छाको लागि

PDTA143ZK,135

भाग स्टक: 2011

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

PDTA113ES,126

भाग स्टक: 1934

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 1 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

ईच्छाको लागि

PDTA123ES,126

भाग स्टक: 3204

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

ईच्छाको लागि

PDTC143ZS,126

भाग स्टक: 1943

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

PDTC115TS,126

भाग स्टक: 2022

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ईच्छाको लागि

PDTA114YS,126

भाग स्टक: 3244

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

DDTC115GUA-7-F

भाग स्टक: 123447

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

DDTC123YCA-7-F

भाग स्टक: 143837

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

DDTC144VKA-7-F

भाग स्टक: 1920

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

DDTA114YKA-7-F

भाग स्टक: 1884

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

DDTC124TKA-7-F

भाग स्टक: 2076

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ईच्छाको लागि

UNR5115G0L

भाग स्टक: 3288

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

UNR221F00L

भाग स्टक: 2021

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

UNR921DG0L

भाग स्टक: 1986

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

UNR52ALG0L

भाग स्टक: 1965

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

UNR522600L

भाग स्टक: 170750

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

ईच्छाको लागि

UNR9118G0L

भाग स्टक: 1948

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 510 Ohms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 5.1 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

DRC9144V0L

भाग स्टक: 165493

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

UNR521NG0L

भाग स्टक: 119112

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

UNR52A6G0L

भाग स्टक: 168231

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

UNR911LG0L

भाग स्टक: 1925

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि