ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपोलर (बीज्ट) - एकल, पूर्व-पक् | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 88

BCR 149F E6327

भाग स्टक: 3262

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 148T E6327

भाग स्टक: 1882

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR148WE6327BTSA1

भाग स्टक: 1902

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 148F E6327

भाग स्टक: 3260

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 148L3 E6327

भाग स्टक: 1913

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 148F B6327

भाग स्टक: 1865

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 148 B6327

भाग स्टक: 1911

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 146T E6327

भाग स्टक: 1826

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 146L3 E6327

भाग स्टक: 3245

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 146F E6327

भाग स्टक: 1912

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR142WE6327HTSA1

भाग स्टक: 1824

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 142L3 E6327

भाग स्टक: 1858

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 142T E6327

भाग स्टक: 1827

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR142B6327HTLA1

भाग स्टक: 1896

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 142F E6327

भाग स्टक: 1836

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 141T E6327

भाग स्टक: 1866

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 141F E6327

भाग स्टक: 1842

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 141L3 E6327

भाग स्टक: 1865

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 139T E6327

भाग स्टक: 1828

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 139L3 E6327

भाग स्टक: 1852

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 139F E6327

भाग स्टक: 1851

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR135WE6327BTSA1

भाग स्टक: 1901

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 135T E6327

भाग स्टक: 1886

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 135L3 E6327

भाग स्टक: 1824

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR133WE6327HTSA1

भाग स्टक: 1880

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 135 B6327

भाग स्टक: 1826

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 133T E6327

भाग स्टक: 1833

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 133L3 E6327

भाग स्टक: 5335

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 133F E6327

भाग स्टक: 1858

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR129WE6327HTSA1

भाग स्टक: 1894

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 133 B6327

भाग स्टक: 1845

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 129T E6327

भाग स्टक: 1855

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 129L3 E6327

भाग स्टक: 1847

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR119WE6327HTSA1

भाग स्टक: 1904

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 119L3 E6327

भाग स्टक: 1849

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

BCR 119T E6327

भाग स्टक: 1913

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि