डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

M30L45C-E3/4W

भाग स्टक: 95830

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V6WL45C-M3/I

भाग स्टक: 156608

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VI30150C-E3/4W

भाग स्टक: 62405

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.36V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V20D202CHM3/I

भाग स्टक: 53138

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V20PWM60CHM3/I

भाग स्टक: 151012

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 660mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

M5060CC1200

भाग स्टक: 1674

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

M5060CC400

भाग स्टक: 2026

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRT300150

भाग स्टक: 1540

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MSRT200100(A)

भाग स्टक: 1517

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MURTA500120

भाग स्टक: 941

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.6V @ 250A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRT30040

भाग स्टक: 1272

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR300150CT

भाग स्टक: 1488

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURT40060R

भाग स्टक: 1085

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURTA500120R

भाग स्टक: 984

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.6V @ 250A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MURTA300120R

भाग स्टक: 986

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.6V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRT20020

भाग स्टक: 1623

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURTA30020

भाग स्टक: 1027

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MUR2X030A12

भाग स्टक: 4218

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.35V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MSRT200120(A)

भाग स्टक: 1484

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBR2X060A180

भाग स्टक: 3494

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 180V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURTA50060

भाग स्टक: 997

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURT40010R

भाग स्टक: 1085

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRT20030R

भाग स्टक: 1602

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURT10010

भाग स्टक: 1338

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DD89N14KKHPSA1

भाग स्टक: 134

DD350N16KHPSA1

भाग स्टक: 92

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 350A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.28V @ 1000A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DD160N22KHPSA1

भाग स्टक: 106

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 172A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MURF1620CT C0G

भाग स्टक: 151

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GP1004 C0G

भाग स्टक: 149

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GSXF030A120S1-D3

भाग स्टक: 5408

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.35V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GSXF060A020S1-D3

भाग स्टक: 3794

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR3060CT-1

भाग स्टक: 111988

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SBAW56LT3G

भाग स्टक: 159268

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

MF300K04F3-BP

भाग स्टक: 2408

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

STPS40M80CT

भाग स्टक: 37750

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 735mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRF10150CT-LJ

भाग स्टक: 101734

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 890mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),