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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

BAV99T-7-F
Diodes Incorporated

BAV99T-7-F

भाग स्टक: 146128

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 85V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAV199Q-7-F
Diodes Incorporated

BAV199Q-7-F

भाग स्टक: 192574

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 85V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 140mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 50mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAV99BRV-7
Diodes Incorporated

BAV99BRV-7

भाग स्टक: 135499

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAV199W-7
Diodes Incorporated

BAV199W-7

भाग स्टक: 182301

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 85V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 140mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS116V-7
Diodes Incorporated

BAS116V-7

भाग स्टक: 101779

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 85V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAT54AW-7-F
Diodes Incorporated

BAT54AW-7-F

भाग स्टक: 147527

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS7005E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7005E6327HTSA1

भाग स्टक: 117509

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS28 TR
Central Semiconductor Corp

BAS28 TR

भाग स्टक: 122513

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAR43SFILM
STMicroelectronics

BAR43SFILM

भाग स्टक: 108240

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAV99T-TP
Micro Commercial Co

BAV99T-TP

भाग स्टक: 148357

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 85V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAT54TW-TP
Micro Commercial Co

BAT54TW-TP

भाग स्टक: 145263

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BYVB32-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200-E3/81

भाग स्टक: 80269

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVB32-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150-E3/81

भाग स्टक: 80306

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVF32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100HE3/45

भाग स्टक: 84390

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVB32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100HE3/45

भाग स्टक: 84406

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVB32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200HE3/45

भाग स्टक: 84421

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVB32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150HE3/45

भाग स्टक: 84464

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVF32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150HE3/45

भाग स्टक: 84448

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVF32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-200HE3/45

भाग स्टक: 84465

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVB32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50HE3/45

भाग स्टक: 84388

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVF32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50HE3/45

भाग स्टक: 87228

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVF32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100-E3/45

भाग स्टक: 87144

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVF32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150-E3/45

भाग स्टक: 87197

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50-E3/45

भाग स्टक: 87137

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT28B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300HE3/81

भाग स्टक: 84901

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT28B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400HE3/81

भाग स्टक: 84909

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVB32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50-E3/45

भाग स्टक: 88816

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYVB32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100-E3/45

भाग स्टक: 88779

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT28B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300-E3/81

भाग स्टक: 87379

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT28B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400-E3/81

भाग स्टक: 87329

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.

BAS40-07,215

भाग स्टक: 164953

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAV23,215
Nexperia USA Inc.

BAV23,215

भाग स्टक: 115772

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 225mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAS70-05,215
Nexperia USA Inc.

BAS70-05,215

भाग स्टक: 109258

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAV99S,135
Nexperia USA Inc.

BAV99S,135

भाग स्टक: 130049

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAV70S,135
Nexperia USA Inc.

BAV70S,135

भाग स्टक: 195709

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAV74LT1G
ON Semiconductor

BAV74LT1G

भाग स्टक: 180179

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि