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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

BAS7004SE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7004SE6327HTSA1

भाग स्टक: 3782

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS7005WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7005WE6327HTSA1

भाग स्टक: 3798

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS4007WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BAS4007WE6327BTSA1

भाग स्टक: 3830

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS 40-07 B6327
Infineon Technologies

BAS 40-07 B6327

भाग स्टक: 3839

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS4005WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BAS4005WE6327BTSA1

भाग स्टक: 3769

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS28WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BAS28WE6327BTSA1

भाग स्टक: 3826

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS16SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BAS16SE6327BTSA1

भाग स्टक: 4410

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS12507WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS12507WE6327HTSA1

भाग स्टक: 3835

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 35mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS 125-06W E6327
Infineon Technologies

BAS 125-06W E6327

भाग स्टक: 3787

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 35mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS12504WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS12504WE6327HTSA1

भाग स्टक: 3798

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 35mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAS12505WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS12505WE6327HTSA1

भाग स्टक: 3798

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 35mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAT46SWFILM
STMicroelectronics

BAT46SWFILM

भाग स्टक: 3770

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 10mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAT54-07P6FILM
STMicroelectronics

BAT54-07P6FILM

भाग स्टक: 3832

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAT41SWFILM
STMicroelectronics

BAT41SWFILM

भाग स्टक: 3816

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAT41AWFILM
STMicroelectronics

BAT41AWFILM

भाग स्टक: 3848

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAT41-07P6FILM
STMicroelectronics

BAT41-07P6FILM

भाग स्टक: 3827

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAT30AWFILM
STMicroelectronics

BAT30AWFILM

भाग स्टक: 4452

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 300mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAT30-07P6FILM
STMicroelectronics

BAT30-07P6FILM

भाग स्टक: 3763

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 300mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAT30-09P6FILM
STMicroelectronics

BAT30-09P6FILM

भाग स्टक: 3854

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 300mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAS69-07P6FILM
STMicroelectronics

BAS69-07P6FILM

भाग स्टक: 3847

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BYW51G-200-TR
STMicroelectronics

BYW51G-200-TR

भाग स्टक: 3745

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYW51G-200
STMicroelectronics

BYW51G-200

भाग स्टक: 3742

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYW51FP-200
STMicroelectronics

BYW51FP-200

भाग स्टक: 3780

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYV54V-200
STMicroelectronics

BYV54V-200

भाग स्टक: 4448

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYV52-200
STMicroelectronics

BYV52-200

भाग स्टक: 3789

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT231PIV-400
STMicroelectronics

BYT231PIV-400

भाग स्टक: 3806

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT231PIV-1000
STMicroelectronics

BYT231PIV-1000

भाग स्टक: 3820

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT230PIV-400
STMicroelectronics

BYT230PIV-400

भाग स्टक: 3790

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT230Y-400
STMicroelectronics

BYT230Y-400

भाग स्टक: 3804

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT200PIV-400
STMicroelectronics

BYT200PIV-400

भाग स्टक: 3805

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT16P-400
STMicroelectronics

BYT16P-400

भाग स्टक: 3749

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAT46CWFILM
STMicroelectronics

BAT46CWFILM

भाग स्टक: 3798

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 10mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BYV40E-150,115
WeEn Semiconductors

BYV40E-150,115

भाग स्टक: 181286

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BYT28-300,127
WeEn Semiconductors

BYT28-300,127

भाग स्टक: 163485

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
BAT54TC
Diodes Incorporated

BAT54TC

भाग स्टक: 3789

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
BAT54STC
Diodes Incorporated

BAT54STC

भाग स्टक: 3743

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि