ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 220MHz, पाउनु: 25.5dB, भोल्टेज - परीक्षण: 50V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 2.17GHz, पाउनु: 17.3dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: pHEMT FET, फ्रिक्वेन्सी: 3.55GHz, पाउनु: 10dB, भोल्टेज - परीक्षण: 12V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 880MHz, पाउनु: 20.8dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 1.93GHz ~ 1.99GHz, पाउनु: 14.5dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 1.93GHz, पाउनु: 16dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 1.4GHz, पाउनु: 18dB, भोल्टेज - परीक्षण: 50V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 1.96GHz, पाउनु: 13dB, भोल्टेज - परीक्षण: 26V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 2.16GHz, पाउनु: 16dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 3.1GHz ~ 3.5GHz, पाउनु: 16dB, भोल्टेज - परीक्षण: 32V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: pHEMT FET, फ्रिक्वेन्सी: 3.55GHz, पाउनु: 10dB, भोल्टेज - परीक्षण: 6V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 960MHz, पाउनु: 18dB, भोल्टेज - परीक्षण: 26V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 880MHz, पाउनु: 20.9dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 220MHz, पाउनु: 23.9dB, भोल्टेज - परीक्षण: 50V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 1.3GHz, पाउनु: 22.7dB, भोल्टेज - परीक्षण: 50V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), फ्रिक्वेन्सी: 130MHz, पाउनु: 26dB, भोल्टेज - परीक्षण: 50V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 2.12GHz, पाउनु: 15.5dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 945MHz, पाउनु: 14.5dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V, वर्तमान रेटिंग: 5A,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 870MHz, पाउनु: 16.3dB, भोल्टेज - परीक्षण: 7.5V, वर्तमान रेटिंग: 8A,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: N-Channel, फ्रिक्वेन्सी: 175MHz, भोल्टेज - परीक्षण: 50V, वर्तमान रेटिंग: 40A,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, वर्तमान रेटिंग: 40mA,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, फ्रिक्वेन्सी: 100MHz, पाउनु: 16dB, भोल्टेज - परीक्षण: 10V, वर्तमान रेटिंग: 60mA,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, पाउनु: 12dB, भोल्टेज - परीक्षण: 10V, वर्तमान रेटिंग: 60mA,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 960MHz, पाउनु: 18.5dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V, वर्तमान रेटिंग: 10µA,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 1.99GHz, पाउनु: 15.9dB, भोल्टेज - परीक्षण: 30V, वर्तमान रेटिंग: 10µA,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 760MHz, पाउनु: 19.5dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 1.99GHz, पाउनु: 18dB, भोल्टेज - परीक्षण: 30V,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: LDMOS, फ्रिक्वेन्सी: 2.48GHz, पाउनु: 14dB, भोल्टेज - परीक्षण: 28V, वर्तमान रेटिंग: 10µA,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: N-Channel, फ्रिक्वेन्सी: 175MHz, पाउनु: 14dB, भोल्टेज - परीक्षण: 50V, वर्तमान रेटिंग: 50µA,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: HFET, फ्रिक्वेन्सी: 12GHz, पाउनु: 12dB, भोल्टेज - परीक्षण: 2V, वर्तमान रेटिंग: 70mA, शोर फिगर: 0.45dB,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: HFET, फ्रिक्वेन्सी: 4GHz, पाउनु: 16dB, भोल्टेज - परीक्षण: 2V, वर्तमान रेटिंग: 97mA, शोर फिगर: 0.45dB,
ट्रान्जिस्टर प्रकार: HEMT, फ्रिक्वेन्सी: 960MHz ~ 1.22GHz, पाउनु: 19.8dB, भोल्टेज - परीक्षण: 50V, वर्तमान रेटिंग: 27.3A,
