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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZE3043AKSA1

भाग स्टक: 153

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 33A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

ईच्छाको लागि
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZAKSA1

भाग स्टक: 141

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 33A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

ईच्छाको लागि
BTS244Z E3043
Infineon Technologies

BTS244Z E3043

भाग स्टक: 84

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

ईच्छाको लागि
BTS244Z E3062A
Infineon Technologies

BTS244Z E3062A

भाग स्टक: 149

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

ईच्छाको लागि
BTS113AE3064NKSA1
Infineon Technologies

BTS113AE3064NKSA1

भाग स्टक: 94

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

ईच्छाको लागि
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies

BTS244ZNKSA1

भाग स्टक: 175

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

ईच्छाको लागि
BTS113ANKSA1
Infineon Technologies

BTS113ANKSA1

भाग स्टक: 176

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

ईच्छाको लागि
BTS113AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS113AE3045ANTMA1

भाग स्टक: 161

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

ईच्छाको लागि
BTS110NKSA1
Infineon Technologies

BTS110NKSA1

भाग स्टक: 140

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

ईच्छाको लागि
BTS110E3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS110E3045ANTMA1

भाग स्टक: 180

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS87 E6433
Infineon Technologies

BSS87 E6433

भाग स्टक: 144

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 240V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 260mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS84P E6433
Infineon Technologies

BSS84P E6433

भाग स्टक: 174

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS225L6327HTSA1

भाग स्टक: 6048

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 90mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS225
Infineon Technologies

BSS225

भाग स्टक: 103

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 90mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS169 E6906
Infineon Technologies

BSS169 E6906

भाग स्टक: 94

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS169 E6327
Infineon Technologies

BSS169 E6327

भाग स्टक: 6104

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS159N E6906
Infineon Technologies

BSS159N E6906

भाग स्टक: 129

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS159N E6327
Infineon Technologies

BSS159N E6327

भाग स्टक: 170

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS139 E6906
Infineon Technologies

BSS139 E6906

भाग स्टक: 116

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS139 E6327
Infineon Technologies

BSS139 E6327

भाग स्टक: 166

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS138W E6433
Infineon Technologies

BSS138W E6433

भाग स्टक: 159

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 280mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS138N E8004
Infineon Technologies

BSS138N E8004

भाग स्टक: 164

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS138N E7854
Infineon Technologies

BSS138N E7854

भाग स्टक: 6034

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS138N E6908
Infineon Technologies

BSS138N E6908

भाग स्टक: 6083

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS138N E6433
Infineon Technologies

BSS138N E6433

भाग स्टक: 174

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS127 E6327
Infineon Technologies

BSS127 E6327

भाग स्टक: 172

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 21mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS126 E6906
Infineon Technologies

BSS126 E6906

भाग स्टक: 106

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 21mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS126 E6327
Infineon Technologies

BSS126 E6327

भाग स्टक: 152

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 21mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS123L7874XT
Infineon Technologies

BSS123L7874XT

भाग स्टक: 161

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS119 E7978
Infineon Technologies

BSS119 E7978

भाग स्टक: 169

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS123 E6433
Infineon Technologies

BSS123 E6433

भाग स्टक: 169

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS119 E7796
Infineon Technologies

BSS119 E7796

भाग स्टक: 122

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS119 E6433
Infineon Technologies

BSS119 E6433

भाग स्टक: 145

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSP92P E6327
Infineon Technologies

BSP92P E6327

भाग स्टक: 140

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 260mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.8V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSP615S2L
Infineon Technologies

BSP615S2L

भाग स्टक: 129

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 1.4A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSP613P
Infineon Technologies

BSP613P

भाग स्टक: 153

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

ईच्छाको लागि