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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

BUK6C2R1-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6C2R1-55C,118

भाग स्टक: 46841

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 228A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK969R0-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK969R0-60E,118

भाग स्टक: 102324

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 75A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK9Y30-75B/C2,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y30-75B/C2,115

भाग स्टक: 1130

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 34A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK9Y19-55B/C2,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-55B/C2,115

भाग स्टक: 1164

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 46A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17.3 mOhm @ 20A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSP110,115
Nexperia USA Inc.

BSP110,115

भाग स्टक: 1086

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 520mA (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

ईच्छाको लागि
BUK6E2R0-30C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6E2R0-30C,127

भाग स्टक: 31040

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 120A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK6507-75C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6507-75C,127

भाग स्टक: 1003

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.6 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK7607-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7607-30B,118

भाग स्टक: 156921

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 75A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK725R0-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK725R0-40C,118

भाग स्टक: 145924

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 75A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK724R5-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK724R5-30C,118

भाग स्टक: 145943

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 75A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK763R6-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK763R6-40C,118

भाग स्टक: 1007

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK754R0-40C,127
Nexperia USA Inc.

BUK754R0-40C,127

भाग स्टक: 1037

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK761R8-30C,118
NXP USA Inc.

BUK761R8-30C,118

भाग स्टक: 978

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BUK7619-100B,118
NXP USA Inc.

BUK7619-100B,118

भाग स्टक: 6106

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 64A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0908NSATMA1

भाग स्टक: 1017

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 34V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 14A (Ta), 49A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS816NW L6327
Infineon Technologies

BSS816NW L6327

भाग स्टक: 875

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.4A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 2.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

ईच्छाको लागि
BSS314PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS314PEL6327HTSA1

भाग स्टक: 879

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS806NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS806NL6327HTSA1

भाग स्टक: 961

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.3A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 2.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

ईच्छाको लागि
BSS159NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS159NH6327XTSA1

भाग स्टक: 894

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA1

भाग स्टक: 920

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 21mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS126H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA1

भाग स्टक: 899

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 21mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

ईच्छाको लागि
BSF083N03LQ G
Infineon Technologies

BSF083N03LQ G

भाग स्टक: 6168

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 13A (Ta), 53A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.3 mOhm @ 20A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSF053N03LT G
Infineon Technologies

BSF053N03LT G

भाग स्टक: 917

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 16A (Ta), 71A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSB024N03LX G
Infineon Technologies

BSB024N03LX G

भाग स्टक: 881

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 27A (Ta), 145A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSB053N03LP G
Infineon Technologies

BSB053N03LP G

भाग स्टक: 882

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 17A (Ta), 71A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSB019N03LX G
Infineon Technologies

BSB019N03LX G

भाग स्टक: 1636

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 32A (Ta), 174A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS205NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS205NL6327HTSA1

भाग स्टक: 867

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

ईच्छाको लागि
BSO220N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO220N03MSGXUMA1

भाग स्टक: 941

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 8.6A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL802SNL6327HTSA1

भाग स्टक: 843

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 2.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,

ईच्छाको लागि
BSL302SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL302SNL6327HTSA1

भाग स्टक: 912

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSD214SN L6327
Infineon Technologies

BSD214SN L6327

भाग स्टक: 923

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

ईच्छाको लागि
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC200P03LSGAUMA1

भाग स्टक: 884

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 12.5A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS215PL6327HTSA1

भाग स्टक: 873

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

ईच्छाको लागि
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS315PL6327HTSA1

भाग स्टक: 914

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO130N03MSGXUMA1

भाग स्टक: 855

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

ईच्छाको लागि
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS83PL6327HTSA1

भाग स्टक: 886

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 330mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

ईच्छाको लागि