ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

APT20M45BVFRG

भाग स्टक: 6139

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 56A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT20M38SVRG

भाग स्टक: 4425

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 67A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 38 mOhm @ 500mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT11F80B

भाग स्टक: 12361

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 12A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT10078BLLG

भाग स्टक: 3086

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 14A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 780 mOhm @ 7A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT34F60B

भाग स्टक: 4766

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 36A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT1201R4BFLLG

भाग स्टक: 3577

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.5 Ohm @ 4.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10DAM02G

भाग स्टक: 663

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 495A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100UM60FAG

भाग स्टक: 463

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 129A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 64.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT58M50JCU2

भाग स्टक: 2464

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 58A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM120UM70DAG

भाग स्टक: 295

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 171A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 85.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50SKM17G

भाग स्टक: 618

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10SKM05TG

भाग स्टक: 1206

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 278A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100UM45FAG

भाग स्टक: 257

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 215A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 52 mOhm @ 107.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT50N60JCCU2

भाग स्टक: 2413

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT58M50JU3

भाग स्टक: 3052

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 58A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT40N60JCU3

भाग स्टक: 3509

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100DA33T1G

भाग स्टक: 2515

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM120U10SAG

भाग स्टक: 452

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 116A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM120DA30T1G

भाग स्टक: 1928

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 31A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT10M11JVRU2

भाग स्टक: 2763

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 142A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 mOhm @ 71A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60SKM24CT1G

भाग स्टक: 1337

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50DAM17G

भाग स्टक: 699

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM10SKM02G

भाग स्टक: 659

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 495A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20UM04SAG

भाग स्टक: 585

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 417A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 208.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT5010JLLU3

भाग स्टक: 2290

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 41A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50UM13SAG

भाग स्टक: 475

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 335A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 167.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20SKM08TG

भाग स्टक: 1154

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 208A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20DAM05G

भाग स्टक: 720

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 317A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20DAM08TG

भाग स्टक: 1126

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 208A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT100MC120JCU2

भाग स्टक: 372

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 143A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM120UM70FAG

भाग स्टक: 339

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 171A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 85.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APT58M50JU2

भाग स्टक: 2017

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 58A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM20DAM04G

भाग स्टक: 666

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 372A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60SKM24T1G

भाग स्टक: 1266

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTM50SKM19G

भाग स्टक: 703

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 163A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

Microsemi Corporation

APTC60DAM18CTG

भाग स्टक: 837

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 143A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V,

ईच्छाको लागि