वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
भाग स्थिति | Not For New Designs |
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FET प्रकार | N-Channel |
टेक्नोलोजी | MOSFET (Metal Oxide) |
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 600V |
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 8A (Tc) |
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) | 10V |
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 4V @ 250µA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (अधिकतम) | ±30V |
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 743pF @ 100V |
FET फिचर | - |
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) | 83W (Tc) |
अपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Through Hole |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | TO-251 (IPAK) |
प्याकेज / केस | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
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ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |