वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
भाग स्थिति | Obsolete |
---|---|
FET प्रकार | P-Channel |
टेक्नोलोजी | MOSFET (Metal Oxide) |
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 60V |
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 1.6A (Ta) |
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) | 10V |
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 280 mOhm @ 960mA, 10V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 4V @ 1µA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (अधिकतम) | ±20V |
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 570pF @ 25V |
FET फिचर | - |
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) | 1.3W (Ta) |
अपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Through Hole |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
प्याकेज / केस | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
---|---|
ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |