| वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
| भाग स्थिति | Active |
|---|---|
| ड्राइभ कन्फिगरेसन | Half-Bridge |
| च्यानल प्रकार | Independent |
| चालकहरूको संख्या | 2 |
| गेट प्रकार | IGBT, N-Channel MOSFET |
| भोल्टेज - आपूर्ति | 10V ~ 20V |
| तर्क भोल्टेज - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| वर्तमान - चुचुरो आउटपुट (स्रोत, सिंक) | 60mA, 130mA |
| इनपुट प्रकार | Non-Inverting |
| उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) | 600V |
| उठ्नुहोस् / पतन समय (प्रकार) | 200ns, 100ns |
| अपरेटिंग तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग प्रकार | Surface Mount |
| प्याकेज / केस | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | 8-SOIC |
| रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
|---|---|
| ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
| लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
| सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |
