| वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
| भाग स्थिति | Active |
|---|---|
| FET प्रकार | N-Channel |
| टेक्नोलोजी | GaNFET (Gallium Nitride) |
| स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 100V |
| हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 60A (Ta) |
| ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) | 5V |
| Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 3.2 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 2.5V @ 12mA |
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | - |
| Vgs (अधिकतम) | +6V, -4V |
| इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 1500pF @ 50V |
| FET फिचर | - |
| पावर डिससिपेशन (अधिकतम) | - |
| अपरेटिंग तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग प्रकार | Surface Mount |
| आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | Die |
| प्याकेज / केस | Die |
| रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
|---|---|
| ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
| लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
| सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |
