वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
भाग स्थिति | Active |
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FET प्रकार | P-Channel |
टेक्नोलोजी | MOSFET (Metal Oxide) |
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 12V |
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 3.3A (Ta) |
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) | 1.5V, 4.5V |
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 80 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 1V @ 250µA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (अधिकतम) | -6V |
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 350pF @ 6V |
FET फिचर | - |
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) | 820mW (Ta) |
अपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Surface Mount |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | U-WLB1010-4 |
प्याकेज / केस | 4-UFBGA, WLBGA |
रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
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ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |