वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
भाग स्थिति | Active |
---|---|
FET प्रकार | P-Channel |
टेक्नोलोजी | MOSFET (Metal Oxide) |
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 20V |
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 2A (Ta) |
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) | 4.5V |
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 170 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 950mV @ 250µA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Vgs (अधिकतम) | ±8V |
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 418pF @ 10V |
FET फिचर | - |
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) | 480mW (Ta) |
अपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Surface Mount |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | TO-236AB |
प्याकेज / केस | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
---|---|
ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |