वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
भाग स्थिति | Obsolete |
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FET प्रकार | N-Channel |
टेक्नोलोजी | SiCFET (Silicon Carbide) |
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 1200V |
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 41A (Tc) |
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) | 20V |
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 3V @ 1mA (Typ) |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Vgs (अधिकतम) | +25V, -10V |
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
FET फिचर | - |
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) | 273W (Tc) |
अपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Through Hole |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | TO-247 |
प्याकेज / केस | TO-247-3 |
रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
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ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |