| वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
| भाग स्थिति | Obsolete |
|---|---|
| FET प्रकार | - |
| टेक्नोलोजी | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 650V |
| हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 7A (Tc) (165°C) |
| ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) | - |
| Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 170 mOhm @ 7A |
| Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | - |
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | - |
| Vgs (अधिकतम) | - |
| इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 720pF @ 35V |
| FET फिचर | - |
| पावर डिससिपेशन (अधिकतम) | 80W (Tc) |
| अपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| माउन्टिंग प्रकार | Through Hole |
| आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | TO-257 |
| प्याकेज / केस | TO-257-3 |
| रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
|---|---|
| ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
| लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
| सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |
