डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 380mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 3A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 3A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 380mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 35ns,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 400mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
