भाग स्टक: 1219
FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 5V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 0.45 mOhm @ 60A, 4.5V,
