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Isolators - गेट ड्राइभरहरू

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SI8230BB-B-IS1
Silicon Labs

SI8230BB-B-IS1

भाग स्टक: 8019

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8273AB-IM1R
Silicon Labs

SI8273AB-IM1R

भाग स्टक: 7905

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

इच्छा सुची
SI8273AB-IM1
Silicon Labs

SI8273AB-IM1

भाग स्टक: 8107

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

इच्छा सुची
SI8231AB-B-IS
Silicon Labs

SI8231AB-B-IS

भाग स्टक: 8110

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8232BB-B-IS
Silicon Labs

SI8232BB-B-IS

भाग स्टक: 7773

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8261BAD-C-IMR
Silicon Labs

SI8261BAD-C-IMR

भाग स्टक: 29908

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

इच्छा सुची
SI8230BD-B-ISR
Silicon Labs

SI8230BD-B-ISR

भाग स्टक: 7894

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8231BB-B-ISR
Silicon Labs

SI8231BB-B-ISR

भाग स्टक: 7665

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8231BD-B-ISR
Silicon Labs

SI8231BD-B-ISR

भाग स्टक: 8872

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8261ACD-C-IMR
Silicon Labs

SI8261ACD-C-IMR

भाग स्टक: 32944

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

इच्छा सुची
SI8282BD-IS
Silicon Labs

SI8282BD-IS

भाग स्टक: 17860

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 50ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5ns,

इच्छा सुची
SI8235-B-IS
Silicon Labs

SI8235-B-IS

भाग स्टक: 7846

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8236BB-D-IM
Silicon Labs

SI8236BB-D-IM

भाग स्टक: 8862

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2,

इच्छा सुची
SI8235BB-C-IS1
Silicon Labs

SI8235BB-C-IS1

भाग स्टक: 7667

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8237BD-B-ISR
Silicon Labs

SI8237BD-B-ISR

भाग स्टक: 8814

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8220DD-A-ISR
Silicon Labs

SI8220DD-A-ISR

भाग स्टक: 7477

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 30kV/µs (Typ), प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 40ns,

इच्छा सुची
SI8234BB-C-IS
Silicon Labs

SI8234BB-C-IS

भाग स्टक: 7369

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8233BB-C-ISR
Silicon Labs

SI8233BB-C-ISR

भाग स्टक: 7368

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8275AB-IM1R
Silicon Labs

SI8275AB-IM1R

भाग स्टक: 7340

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

इच्छा सुची
SI8284CD-IS
Silicon Labs

SI8284CD-IS

भाग स्टक: 16173

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 50ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5ns,

इच्छा सुची
SI8273AB-IMR
Silicon Labs

SI8273AB-IMR

भाग स्टक: 30282

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 150kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

इच्छा सुची
SI8261AAD-C-IMR
Silicon Labs

SI8261AAD-C-IMR

भाग स्टक: 32956

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

इच्छा सुची
SI8261BCA-C-IS
Silicon Labs

SI8261BCA-C-IS

भाग स्टक: 67763

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 10ns (Typ),

इच्छा सुची
SI8233BB-C-IMR
Silicon Labs

SI8233BB-C-IMR

भाग स्टक: 7332

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8232BB-B-IS1
Silicon Labs

SI8232BB-B-IS1

भाग स्टक: 7518

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8236BB-D-IMR
Silicon Labs

SI8236BB-D-IMR

भाग स्टक: 7362

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2,

इच्छा सुची
SI8274GB1-IM
Silicon Labs

SI8274GB1-IM

भाग स्टक: 27577

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 150kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 19ns,

इच्छा सुची
SI8235AB-C-ISR
Silicon Labs

SI8235AB-C-ISR

भाग स्टक: 7582

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8233AD-C-IS
Silicon Labs

SI8233AD-C-IS

भाग स्टक: 7107

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8232BD-B-ISR
Silicon Labs

SI8232BD-B-ISR

भाग स्टक: 7249

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8274AB4D-IMR
Silicon Labs

SI8274AB4D-IMR

भाग स्टक: 30351

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 105ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 47ns,

इच्छा सुची
SI8274AB1-IM
Silicon Labs

SI8274AB1-IM

भाग स्टक: 27543

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 150kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 19ns,

इच्छा सुची
SI8231AB-B-IS1R
Silicon Labs

SI8231AB-B-IS1R

भाग स्टक: 6972

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8234AB-C-IM
Silicon Labs

SI8234AB-C-IM

भाग स्टक: 6675

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची
SI8273ABD-IM
Silicon Labs

SI8273ABD-IM

भाग स्टक: 27595

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

इच्छा सुची
SI8236AA-C-IM
Silicon Labs

SI8236AA-C-IM

भाग स्टक: 6754

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 1000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

इच्छा सुची