अप्टिकल सेन्सर - चिंतनशील - एनालग आउटपुट

GP2S40JJ000F

GP2S40JJ000F

भाग स्टक: 4316

सेन्सि D दूरी: 0.138" (3.5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S27T

GP2S27T

भाग स्टक: 2691

सेन्सि D दूरी: 0.031" (0.8mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2L20R

GP2L20R

भाग स्टक: 2748

सेन्सि D दूरी: 0.512" (13mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,

इच्छा सुची
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

भाग स्टक: 4326

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S40J0000F

GP2S40J0000F

भाग स्टक: 2712

सेन्सि D दूरी: 0.138" (3.5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2L24ABJ00F

GP2L24ABJ00F

भाग स्टक: 2712

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,

इच्छा सुची
GP2L26

GP2L26

भाग स्टक: 2756

सेन्सि D दूरी: 0.031" (0.8mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,

इच्छा सुची
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

भाग स्टक: 2737

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

भाग स्टक: 4345

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2L24

GP2L24

भाग स्टक: 4363

सेन्सि D दूरी: 0.031" (0.8mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,

इच्छा सुची
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

भाग स्टक: 2735

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

भाग स्टक: 2726

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,

इच्छा सुची
GP2S27T6J00F

GP2S27T6J00F

भाग स्टक: 2679

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S27TJ000F

GP2S27TJ000F

भाग स्टक: 2724

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

भाग स्टक: 2724

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S60A

GP2S60A

भाग स्टक: 2778

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S27T3J00F

GP2S27T3J00F

भाग स्टक: 2727

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S24

GP2S24

भाग स्टक: 4283

सेन्सि D दूरी: 0.031" (0.8mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2L24BCJ00F

GP2L24BCJ00F

भाग स्टक: 2763

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,

इच्छा सुची
GP2L24BJ00F

GP2L24BJ00F

भाग स्टक: 2769

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,

इच्छा सुची
GP2S28

GP2S28

भाग स्टक: 2729

सेन्सि D दूरी: 0.551" (14mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

भाग स्टक: 2708

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,

इच्छा सुची
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

भाग स्टक: 2701

सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची
GP2S40

GP2S40

भाग स्टक: 2756

सेन्सि D दूरी: 0.256" (6.5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,

इच्छा सुची