ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

Rohm Semiconductor

EM6K33T2R

भाग स्टक: 182538

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.2V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

SP8M4FRATB

भाग स्टक: 91

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A (Ta), 7A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K31FRATB

भाग स्टक: 99

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.5A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6K1TR

भाग स्टक: 117098

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J4TR

भाग स्टक: 171717

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 56 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K3TB

भाग स्टक: 123516

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8KA4TB

भाग स्टक: 198737

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J2FU6TB

भाग स्टक: 120135

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SM6K2T110

भाग स्टक: 120997

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UT6J3TCR

भाग स्टक: 114339

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UT6K3TCR

भाग स्टक: 167007

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6M11TR

भाग स्टक: 108081

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.5A, 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K3TB1

भाग स्टक: 55153

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UT6JA2TCR

भाग स्टक: 157843

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8J65TB1

भाग स्टक: 100136

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K33NTN

भाग स्टक: 191317

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.2V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6J2TR

भाग स्टक: 151598

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8J1TR

भाग स्टक: 2958

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K1TB1

भाग स्टक: 189574

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UT6MA3TCR

भाग स्टक: 168810

FET प्रकार: N and P-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6K4TR

भाग स्टक: 182371

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8M51TR

भाग स्टक: 132178

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A, 1.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 325 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

HP8K22TB

भाग स्टक: 139519

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 27A, 57A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

SP8J5FU6TB

भाग स्टक: 68274

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K32TB1

भाग स्टक: 109582

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K31NFHATCN

भाग स्टक: 9908

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 250mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M5TB1

भाग स्टक: 102075

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M3FU6TB

भाग स्टक: 134363

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6K13TCR

भाग स्टक: 2950

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6M4TR

भाग स्टक: 185861

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M3TB1

भाग स्टक: 180841

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

SH8M41TB1

भाग स्टक: 127833

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, 2.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

QH8KA4TCR

भाग स्टक: 78816

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 1mA,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

TT8J21TR

भाग स्टक: 169061

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8J66TB1

भाग स्टक: 75609

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

MP6M11TCR

भाग स्टक: 2920

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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