ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 6

UMH8NTR

भाग स्टक: 177661

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

IMD9AT108

भाग स्टक: 163179

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMB61T2R

भाग स्टक: 104787

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

EMB10T2R

भाग स्टक: 175699

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMH4NTN

भाग स्टक: 149464

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMH10FHAT2R

भाग स्टक: 131

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMA4T2R

भाग स्टक: 114783

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMD62T2R

भाग स्टक: 115365

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

EMD3T2R

भाग स्टक: 196435

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMH61T2R

भाग स्टक: 107407

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

IMH11AT110

भाग स्टक: 124239

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

IMH9AT110

भाग स्टक: 116186

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

IMH24T110

भाग स्टक: 105487

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMF23NTR

भाग स्टक: 107959

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 150mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMA11NTR

भाग स्टक: 158485

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMG5T2R

भाग स्टक: 135597

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

IMB4AT110

भाग स्टक: 116363

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

UMF8NTR

भाग स्टक: 111347

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 15V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

FMG5AT148

भाग स्टक: 191530

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMD6NTR

भाग स्टक: 125967

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

IMD23T108

भाग स्टक: 153074

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMD30T2R

भाग स्टक: 163367

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, 30V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

FMA7AT148

भाग स्टक: 193045

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMC3NTR

भाग स्टक: 111007

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

इच्छा सुची

Rohm Semiconductor

UMG4NTR

भाग स्टक: 131758

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMH11NTN

भाग स्टक: 164960

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMD4NTR

भाग स्टक: 139055

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMH7NTR

भाग स्टक: 166319

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMD12NTR

भाग स्टक: 144674

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMA10NTR

भाग स्टक: 123852

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

FMA11AT148

भाग स्टक: 163245

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMB6T2R

भाग स्टक: 182976

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMA8T2R

भाग स्टक: 102753

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

EMG11T2R

भाग स्टक: 155071

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

FMG11AT148

भाग स्टक: 149456

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

QSH29TR

भाग स्टक: 194863

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 70V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 500 @ 200mA, 5V,

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