ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपोलर (बीज्ट) - एकल, पूर्व-पक् | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 16

DTC124ECAHZGT116

भाग स्टक: 123

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124EU3T106

भाग स्टक: 63

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC023EMT2L

भाग स्टक: 143332

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTC114YMT2L

भाग स्टक: 101222

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC123JETL

भाग स्टक: 199453

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC143ECAT116

भाग स्टक: 167420

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124XEFRATL

भाग स्टक: 69

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143TMT2L

भाग स्टक: 104749

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA013ZUBTL

भाग स्टक: 181648

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTD113ECHZGT116

भाग स्टक: 113

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 1 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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DTD113ECT116

भाग स्टक: 100985

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 1 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA123JCAT116

भाग स्टक: 103671

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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DTA115EMT2L

भाग स्टक: 111770

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC023JMT2L

भाग स्टक: 109540

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTC015EUBTL

भाग स्टक: 162811

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTC923TUBTL

भाग स्टक: 157543

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 400mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124XMT2L

भाग स्टक: 100919

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA144GUAT106

भाग स्टक: 182490

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB123YKT146

भाग स्टक: 199309

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143ZCAT116

भाग स्टक: 107740

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143ECAT116

भाग स्टक: 120659

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA144EU3T106

भाग स्टक: 54

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA024EMT2L

भाग स्टक: 136823

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTB123YCHZGT116

भाग स्टक: 135

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA114YKAT146

भाग स्टक: 125826

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143EMT2L

भाग स्टक: 141367

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA114YCAT116

भाग स्टक: 185770

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC144GUAT106

भाग स्टक: 191385

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124XCAHZGT116

भाग स्टक: 66

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA123JMT2L

भाग स्टक: 161293

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124TMT2L

भाग स्टक: 187509

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC014TUBTL

भाग स्टक: 164311

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTD523YETL

भाग स्टक: 136937

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTC144EMT2L

भाग स्टक: 197378

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA124XEFRATL

भाग स्टक: 103

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA014EMT2L

भाग स्टक: 158404

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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