डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

MSC030SDA120S

भाग स्टक: 198

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A (DC), गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

HSM190GE3/TR13

भाग स्टक: 92272

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM190G/TR13

भाग स्टक: 74960

LSM535JE3/TR13

भाग स्टक: 160727

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

HSM3100GE3/TR13

भाग स्टक: 95761

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM1100JE3/TR13

भाग स्टक: 183681

HSM830G/TR13

भाग स्टक: 41517

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM150JE3/TR13

भाग स्टक: 143270

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

HSM890GE3/TR13

भाग स्टक: 62340

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

HSM825G/TR13

भाग स्टक: 41546

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM160G/TR13

भाग स्टक: 76037

HSM170GE3/TR13

भाग स्टक: 92323

CDS5711UR-1

भाग स्टक: 538

LSM130GE3/TR13

भाग स्टक: 185

HSM320JE3/TR13

भाग स्टक: 103418

HSM320G/TR13

भाग स्टक: 65435

JANTXV1N6642UB2R

भाग स्टक: 1717

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 20ns,

LSM140GE3/TR13

भाग स्टक: 146556

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM540JE3/TR13

भाग स्टक: 160706

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM180G/TR13

भाग स्टक: 74894

HSM845JE3/TR13

भाग स्टक: 80748

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

HSM560JE3/TR13

भाग स्टक: 101356

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM150G/TR13

भाग स्टक: 75985

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM835GE3/TR13

भाग स्टक: 99396

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LSM540G/TR13

भाग स्टक: 63875

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

HSM350GE3/TR13

भाग स्टक: 99428

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

JAN1N5806URS

भाग स्टक: 3462

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 875mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,

HSM825JE3/TR13

भाग स्टक: 80787

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

JAN1N6642UBCC

भाग स्टक: 2772

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

LSM345G/TR13

भाग स्टक: 65459

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MSC050SDA120S

भाग स्टक: 176

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A (DC), गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

HSM350JE3/TR13

भाग स्टक: 99435

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

HSM830J/TR13

भाग स्टक: 49426

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

JANTXV1N6642UBCA

भाग स्टक: 2113

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 20ns,

JAN1N4148UB2R

भाग स्टक: 2888

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 20ns,

LSM835JE3/TR13

भाग स्टक: 118611

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),