ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 7

APTM20DUM05G

भाग स्टक: 536

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 317A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

भाग स्टक: 731

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

भाग स्टक: 766

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 99A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

भाग स्टक: 767

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

भाग स्टक: 533

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V (1kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

भाग स्टक: 1743

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 39A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

भाग स्टक: 448

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 99A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

भाग स्टक: 2026

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

भाग स्टक: 1204

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

भाग स्टक: 712

FET प्रकार: 2 N Channel (Phase Leg), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

भाग स्टक: 306

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 147A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 30mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

भाग स्टक: 1671

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 37A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

भाग स्टक: 461

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 90A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120A15FG

भाग स्टक: 396

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

भाग स्टक: 936

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

भाग स्टक: 423

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

भाग स्टक: 488

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 495A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

भाग स्टक: 196

FET प्रकार: 2 N Channel (Phase Leg), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V (1.7kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

भाग स्टक: 1797

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTM120H29FG

भाग स्टक: 261

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 34A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

भाग स्टक: 446

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 278A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

भाग स्टक: 2107

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 25A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

भाग स्टक: 139

FET प्रकार: 2 N Channel (Phase Leg), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1700V (1.7kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 5mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

भाग स्टक: 1065

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

भाग स्टक: 381

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 208A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

भाग स्टक: 433

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 317A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

भाग स्टक: 940

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 139A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

भाग स्टक: 1470

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 70A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

भाग स्टक: 1719

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 36A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

भाग स्टक: 1728

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

भाग स्टक: 599

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 90A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

भाग स्टक: 489

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 175A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

भाग स्टक: 743

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Super Junction, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 49A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

भाग स्टक: 1759

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

भाग स्टक: 248

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 72A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

भाग स्टक: 545

FET प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 51A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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