आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 1.7A, आर @ वर्तमान: 490 mOhms, व्यास: 0.55" (13.97mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 1.7A, व्यास: 0.4" (10.2mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.250" (6.35mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4.7A, आर @ वर्तमान: 120 mOhms, व्यास: 0.55" (13.97mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, आर @ वर्तमान: 180 mOhms, व्यास: 0.77" (19.56mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 1.7A, आर @ वर्तमान: 340 mOhms, व्यास: 0.4" (10.2mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.250" (6.35mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 500 mOhms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 16A, आर @ वर्तमान: 20 mOhms, व्यास: 0.93" (23.62mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4.7A, व्यास: 0.55" (13.97mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3.2A, व्यास: 0.4" (10.2mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.250" (6.35mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 7 Ohms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, व्यास: 0.77" (19.56mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 47 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 490 mOhms, व्यास: 0.77" (19.56mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3 Ohms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 8A, व्यास: 0.55" (13.97mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 25 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2.4A, आर @ वर्तमान: 410 mOhms, व्यास: 0.55" (13.97mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 25 Ohms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2.4A, व्यास: 0.55" (13.97mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 270 mOhms, व्यास: 0.77" (19.56mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, व्यास: 0.77" (19.56mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 50 Ohms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 1.1A, व्यास: 0.45" (11.4mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.250" (6.35mm),
