डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.5V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 100ns,
डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 28A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,
डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 54.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,
डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 17.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 5A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 32ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.75V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 100ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 45ns,
डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 44A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 15A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,
डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 24.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 8A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15.9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 9.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 9.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 9.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 9.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15.9A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 15.9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 12.7A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15.9A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 15.9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 12.7A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 12.7A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 9.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 9.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15.9A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 15.9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15.9A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 15.9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4µs,
