सेन्सि D दूरी: 0.2" (5.08mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.118" (3mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 40mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.168" (4.27mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodiode,
सेन्सि D दूरी: 0.168" (4.27mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
