ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

IXTA24N65X2

भाग स्टक: 177

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 24A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा सुची

IXFN140N25T

भाग स्टक: 3060

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V,

इच्छा सुची

IXTP76N25T

भाग स्टक: 18894

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 76A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTN32P60P

भाग स्टक: 2961

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 32A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFL38N100P

भाग स्टक: 3146

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 29A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 230 mOhm @ 19A, 10V,

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IXFH130N15X3

भाग स्टक: 163

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 130A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9 mOhm @ 65A, 10V,

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IXTP18P10T

भाग स्टक: 34292

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 18A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 9A, 10V,

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IXTA1R4N100P

भाग स्टक: 31842

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

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IXTT8P50

भाग स्टक: 11206

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V,

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IXTQ470P2

भाग स्टक: 12418

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 42A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTA2R4N120P

भाग स्टक: 15068

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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IXTH16N50D2

भाग स्टक: 8188

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 240 mOhm @ 8A, 0V,

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IXTP4N70X2M

भाग स्टक: 184

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 700V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 850 mOhm @ 2A, 10V,

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IXFT80N65X2HV

भाग स्टक: 162

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 80A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V,

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IXFQ26N50P3

भाग स्टक: 15244

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 26A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

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IXFH50N50P3

भाग स्टक: 9895

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 25A, 10V,

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IXTH75N10

भाग स्टक: 5083

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 75A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 37.5A, 10V,

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IXFT60N65X2HV

भाग स्टक: 243

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 52 mOhm @ 30A, 10V,

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IXFT52N50P2

भाग स्टक: 7385

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 52A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

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IXFQ50N60X

भाग स्टक: 9706

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 73 mOhm @ 25A, 10V,

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IXTT440N055T2

भाग स्टक: 6942

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 440A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.8 mOhm @ 100A, 10V,

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IXTF6N200P3

भाग स्टक: 225

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 2000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.2 Ohm @ 3A, 10V,

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IXFX27N80Q

भाग स्टक: 4030

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 27A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTT360N055T2

भाग स्टक: 8847

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 360A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

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IXFR24N80P

भाग स्टक: 7912

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 420 mOhm @ 12A, 10V,

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IXFK20N120P

भाग स्टक: 3605

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

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MMIX1F132N50P3

भाग स्टक: 2036

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 63A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 43 mOhm @ 66A, 10V,

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IXFK27N80Q

भाग स्टक: 3932

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 800V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 27A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTP1N100P

भाग स्टक: 40493

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

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IXFN140N20P

भाग स्टक: 3280

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 115A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, 15V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 70A, 10V,

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IXTT16N10D2

भाग स्टक: 7549

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 64 mOhm @ 8A, 0V,

इच्छा सुची

IXTX120P20T

भाग स्टक: 3812

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 60A, 10V,

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IXTP56N15T

भाग स्टक: 24025

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 56A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 28A, 10V,

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IXTK90P20P

भाग स्टक: 4142

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 90A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 44 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTT26N60P

भाग स्टक: 9802

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 26A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFJ80N25X3

भाग स्टक: 6605

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 44A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 40A, 10V,

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