मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28.5MHz, पहुँच समय: 25ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28.5MHz, पहुँच समय: 25ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 15MHz, पहुँच समय: 35ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 5M (128K x 40), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 250MHz, पहुँच समय: 3.2ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (16K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 33.3MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 36K (1K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 11ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 4.5K (64 x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 1mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 33.3MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 144K (2K x 72), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 75mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28.5MHz, पहुँच समय: 25ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (64K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (64 x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 2.25M (32K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 1.25M (8K x 40 x 4), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 150MHz, पहुँच समय: 3.8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 260mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
मेमोरी साइज: 2.5M (64K x 40), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 150MHz, पहुँच समय: 3.8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (16K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28.5MHz, पहुँच समय: 25ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (64K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 576K (64K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 22.22MHz, पहुँच समय: 35ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
