मेमोरी साइज: 576K (64K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 55mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (64K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 576K (64K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 55mA,
मेमोरी साइज: 576K (32K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 576K (32K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (32K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 2.25M (128K x 18)(256K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 288K (8K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 288K (8K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 288K (16K x 18)(32K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 288K (16K x 18)(32K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 36K (1K x 18 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 100mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (128K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 55mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (64K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 72K (2K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 13ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 72K (2K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 11ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 288K (16K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 288K (16K x 18)(32K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 25MHz, पहुँच समय: 30ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 150mA,
मेमोरी साइज: 576K (64K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 33.3MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
मेमोरी साइज: 288K (8K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 576K (16K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 576K (16K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 576K (32K x 18)(64K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
