ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

BSZ014NE2LS5IFATMA1

भाग स्टक: 90147

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 31A (Ta), 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.45 mOhm @ 20A, 10V,

BSC0500NSIATMA1

भाग स्टक: 90185

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 35A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.3 mOhm @ 30A, 10V,

BSC009NE2LS5ATMA1

भाग स्टक: 91111

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 41A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

BSO201SPHXUMA1

भाग स्टक: 7803

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 4.5V,

BSC020N03LSGATMA1

भाग स्टक: 119255

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 28A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V,

BSC500N20NS3GATMA1

भाग स्टक: 97704

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 24A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 22A, 10V,

BSZ16DN25NS3GATMA1

भाग स्टक: 7824

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10.9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 165 mOhm @ 5.5A, 10V,

BSC123N10LSGATMA1

भाग स्टक: 94901

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10.6A (Ta), 71A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12.3 mOhm @ 50A, 10V,

BSF134N10NJ3GXUMA1

भाग स्टक: 7805

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9A (Ta), 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13.4 mOhm @ 30A, 10V,

BSC061N08NS5ATMA1

भाग स्टक: 98019

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 82A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.1 mOhm @ 41A, 10V,

BSC190N12NS3GATMA1

भाग स्टक: 117085

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 120V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.6A (Ta), 44A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 39A, 10V,

BSZ013NE2LS5IATMA1

भाग स्टक: 99156

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 32A (Ta), 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.3 mOhm @ 20A, 10V,

BSO080P03SHXUMA1

भाग स्टक: 7760

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12.6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 10V,

BSC019N04LSATMA1

भाग स्टक: 101640

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 27A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.9 mOhm @ 50A, 10V,

BSZ900N20NS3GATMA1

भाग स्टक: 7782

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 15.2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 7.6A, 10V,

BSZ097N10NS5ATMA1

भाग स्टक: 109357

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A (Ta), 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9.7 mOhm @ 20A, 10V,

BSZ096N10LS5ATMA1

भाग स्टक: 109321

BSZ042N06NSATMA1

भाग स्टक: 107762

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 17A (Ta), 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

BSC118N10NSGATMA1

भाग स्टक: 103211

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11A (Ta), 71A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11.8 mOhm @ 50A, 10V,

BSZ018NE2LSATMA1

भाग स्टक: 7692

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 23A (Ta), 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V,

BSC034N06NSATMA1

भाग स्टक: 104299

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.4 mOhm @ 50A, 10V,

BSC072N08NS5ATMA1

भाग स्टक: 101423

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 74A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.2 mOhm @ 37A, 10V,

BSC070N10NS3GATMA1

भाग स्टक: 108479

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 90A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

BSC019N04NSGATMA1

भाग स्टक: 122674

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.9 mOhm @ 50A, 10V,

BSC022N04LSATMA1

भाग स्टक: 122779

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 mOhm @ 50A, 10V,

BSC016N03MSGATMA1

भाग स्टक: 101784

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 28A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

BSC026N02KSGAUMA1

भाग स्टक: 5853

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 25A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.6 mOhm @ 50A, 4.5V,

BSC014N03LSGATMA1

भाग स्टक: 7773

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 34A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

BSC014N03MSGATMA1

भाग स्टक: 5601

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

BSC018N04LSGATMA1

भाग स्टक: 111577

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.8 mOhm @ 50A, 10V,

BSC016N03LSGATMA1

भाग स्टक: 101777

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 32A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

BSC015NE2LS5IATMA1

भाग स्टक: 113537

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 33A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.5 mOhm @ 30A, 10V,

BSP135H6327XTSA1

भाग स्टक: 122945

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 120mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

BSC0702LSATMA1

भाग स्टक: 121071

BSB104N08NP3GXUSA1

भाग स्टक: 121228

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 13A (Ta), 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10.4 mOhm @ 10A, 10V,

BSZ019N03LSATMA1

भाग स्टक: 7686

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 22A (Ta). 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.9 mOhm @ 20A, 10V,