फाइबर अप्टिक्स - ट्रान्समिटर - अलग

IF-E96R

IF-E96R

भाग स्टक: 9572

Waveleight: 660nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.8V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 35mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 30pF,

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IF-E92B

IF-E92B

भाग स्टक: 5157

Waveleight: 470nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 25nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 4V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 35mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 100pF,

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IF-E91A

IF-E91A

भाग स्टक: 21125

Waveleight: 950nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 40nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.5V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 25pF,

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IF-E96M

IF-E96M

भाग स्टक: 9616

Waveleight: 660nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.8V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 35mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 30pF,

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IF-E93

IF-E93

भाग स्टक: 6918

Waveleight: 530nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 50nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 4V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 35mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 100pF,

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IF-E91D

IF-E91D

भाग स्टक: 15024

Waveleight: 870nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 30nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.05V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 120pF,

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IF-E99

IF-E99

भाग स्टक: 9586

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 10nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.3V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 10pF,

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IF-E96

IF-E96

भाग स्टक: 9574

Waveleight: 660nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.8V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 35mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 30pF,

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IF-E99B

IF-E99B

भाग स्टक: 1980

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 10nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.9V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, Capacitance: 6.5pF,

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IF-E98

IF-E98

भाग स्टक: 5276

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.3V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V,

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IF-E96E

IF-E96E

भाग स्टक: 16287

Waveleight: 645nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 35pF,

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IF-E92A

IF-E92A

भाग स्टक: 5142

Waveleight: 430nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 65nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 4.5V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 35mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 100pF,

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IF-E97

IF-E97

भाग स्टक: 11271

Waveleight: 660nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 40nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 30pF,

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