डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

GP2D006A065A

भाग स्टक: 25677

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.65V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP2D015A120B

भाग स्टक: 7457

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 15A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP2D020A120B

भाग स्टक: 5743

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GDP06S060D

भाग स्टक: 2250

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP2D030A120B

भाग स्टक: 4983

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP2D050A060B

भाग स्टक: 3568

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.65V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GDP12S060D

भाग स्टक: 16299

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 12A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP2D020A170B

भाग स्टक: 2736

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GDP60P120B

भाग स्टक: 5284

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 60A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GDP36Z060B

भाग स्टक: 2188

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 36A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 36A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GDP24P060B

भाग स्टक: 2169

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 24A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 24A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP2D010A120B

भाग स्टक: 10170

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP2D010A120C

भाग स्टक: 7417

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GDP30P120B

भाग स्टक: 2235

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 81A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 30A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GDP15S120A

भाग स्टक: 2215

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 15A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP2D006A065C

भाग स्टक: 25640

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.65V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GDP50P120B

भाग स्टक: 1330

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GP3D050A120B

भाग स्टक: 487

GP3D030A060B

भाग स्टक: 9535

डायोड प्रकार: Schottky, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GP3D060A120B

भाग स्टक: 9497

GP3D050A060B

भाग स्टक: 9474