आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.7 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5.1A, व्यास: 0.59" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6.5A, आर @ वर्तमान: 66 mOhms, व्यास: 0.571" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 22 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 200 mOhms, व्यास: 0.571" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 197 mOhms, व्यास: 0.571" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 47 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 615 mOhms, व्यास: 0.512" (13mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 15 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 1.8A, व्यास: 0.335" (8.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2.9A, व्यास: 0.453" (11.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, व्यास: 0.335" (8.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4.5A, व्यास: 0.453" (11.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6.5A, आर @ वर्तमान: 74 mOhms, व्यास: 0.6" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 20 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2.8A, व्यास: 0.453" (11.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 3 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, व्यास: 0.453" (11.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6.5A, व्यास: 0.59" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 8 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3.7A, व्यास: 0.453" (11.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 15 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, व्यास: 0.59" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3.7A, व्यास: 0.59" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 120 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 693 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 7 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, आर @ वर्तमान: 122 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, सहनशीलता: ±20%, व्यास: 0.335" (8.5mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 500 mOhms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 30A, आर @ वर्तमान: 11 mOhms, व्यास: 1.2" (30.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, आर @ वर्तमान: 130 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6.5A, आर @ वर्तमान: 66 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 1 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 7.5A, आर @ वर्तमान: 43 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 23A, आर @ वर्तमान: 22 mOhms, व्यास: 1.2" (30.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 197 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 22 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 200 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 25 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 319 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 7 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 17A, आर @ वर्तमान: 45 mOhms, व्यास: 1.2" (30.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 13.5A, व्यास: 1.024" (26mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 1 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 30A, आर @ वर्तमान: 13 mOhms, व्यास: 1.2" (30.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 8 Ohms, सहनशीलता: ±20%, व्यास: 0.453" (11.5mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 20A, आर @ वर्तमान: 33 mOhms, व्यास: 1.2" (30.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 47 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 359 mOhms, व्यास: 0.57" (14.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 60 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 660 mOhms, व्यास: 0.591" (15.00mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 20 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 380 mOhms, व्यास: 0.511" (13mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
