मुख्य प्रकार: I, प्रेरणा कारक (अल): 5.7µH, सहनशीलता: ±25%, Gap: N49, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): I 38 x 4 x 25,
मुख्य प्रकार: RM, प्रेरणा कारक (अल): 5.7µH, सहनशीलता: -20%, +30%, Gap: N30, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): RM 8,
मुख्य प्रकार: RM, प्रेरणा कारक (अल): 2.9µH, सहनशीलता: -20%, +30%, Gap: N49, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): RM 8 LP,
मुख्य प्रकार: RM,
मुख्य प्रकार: RM, प्रेरणा कारक (अल): 630nH, सहनशीलता: ±5%, Gap: N41, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): RM 8,
मुख्य प्रकार: RM, प्रेरणा कारक (अल): 400nH, सहनशीलता: ±3%, Gap: N48, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): RM 8,
मुख्य प्रकार: RM, प्रेरणा कारक (अल): 3.1µH, सहनशीलता: -20%, +30%, Gap: N92, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): RM 8 LP,
मुख्य प्रकार: ELP, Gap: N87, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): ELP 43 x 10 x 28,
मुख्य प्रकार: E, Gap: N87, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): E 20 x 10 x 6,
मुख्य प्रकार: E, Gap: T35, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): E 20 x 10 x 6,
मुख्य प्रकार: E, Gap: N27, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): E 20 x 10 x 6,
मुख्य प्रकार: Toroid, प्रेरणा कारक (अल): 9.3µH, सहनशीलता: ±25%, Gap: N30, प्रभावी पारगम्यता (µe): 60.10mm,
मुख्य प्रकार: Toroid, Gap: T65,
मुख्य प्रकार: Toroid, प्रेरणा कारक (अल): 3.87µH, सहनशीलता: ±25%, Gap: T35, प्रभावी पारगम्यता (µe): 17.20mm,
मुख्य प्रकार: Toroid, Gap: N72,
मुख्य प्रकार: RM, प्रेरणा कारक (अल): 630nH, सहनशीलता: ±3%, Gap: N48, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): RM 10,
मुख्य प्रकार: Toroid,
मुख्य प्रकार: RM, Gap: N41, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): RM 10,
मुख्य प्रकार: Toroid, प्रेरणा कारक (अल): 8.8µH, सहनशीलता: ±30%, Gap: T65, प्रभावी पारगम्यता (µe): 39.40mm,
मुख्य प्रकार: Toroid, प्रेरणा कारक (अल): 1.76µH, सहनशीलता: ±25%, Gap: N30, प्रभावी पारगम्यता (µe): 10.00mm, प्रारम्भिक पारगम्यता (µi): R 10 x 6 x 4,
