ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 1

EPC2105ENGRT

भाग स्टक: 13745

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 2.5mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2100

भाग स्टक: 18949

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2104ENGRT

भाग स्टक: 13673

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 5.5mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2101ENGRT

भाग स्टक: 13969

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.5A, 38A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 2mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2103ENGRT

भाग स्टक: 13895

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 7mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2111ENGRT

भाग स्टक: 43248

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 5mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2101ENG

भाग स्टक: 2948

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.5A, 38A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 2mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2100ENGRT

भाग स्टक: 14216

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2106ENGRT

भाग स्टक: 88131

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 600µA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2102ENGRT

भाग स्टक: 14073

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A (Tj), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 7mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2103

भाग स्टक: 23026

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 7mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2105

भाग स्टक: 24303

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.5A, 38A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2100ENG

भाग स्टक: 2900

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2105ENG

भाग स्टक: 2911

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.5A, 38A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 2.5mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2103ENG

भाग स्टक: 2868

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 7mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2104

भाग स्टक: 24318

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 5.5mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2106

भाग स्टक: 24307

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 600µA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2102ENG

भाग स्टक: 2960

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 7mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2102

भाग स्टक: 24374

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 7mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2104ENG

भाग स्टक: 2913

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 5.5mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2107ENGRT

भाग स्टक: 82626

FET प्रकार: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.7A, 500mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2107

भाग स्टक: 79571

FET प्रकार: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.7A, 500mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2111

भाग स्टक: 48430

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 5mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2110ENGRT

भाग स्टक: 67578

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 120V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 700µA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2101

भाग स्टक: 21570

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.5A, 38A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2110

भाग स्टक: 26911

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 120V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 700µA,

इच्छा सुची

EPC

EPC2108

भाग स्टक: 83651

FET प्रकार: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.7A, 500mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

इच्छा सुची