Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

  • घर
  •  
  • डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल
DFLS2100-7
Diodes Incorporated

DFLS2100-7

भाग स्टक: 161774

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SD103AW-7-F
Diodes Incorporated

SD103AW-7-F

भाग स्टक: 175084

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 350mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 10ns,

इच्छा सुची
RS1MB-13-F
Diodes Incorporated

RS1MB-13-F

भाग स्टक: 145575

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
ES3D-13-F
Diodes Incorporated

ES3D-13-F

भाग स्टक: 142759

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,

इच्छा सुची
S2G-13-F
Diodes Incorporated

S2G-13-F

भाग स्टक: 157649

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
DSR6U600P5-13
Diodes Incorporated

DSR6U600P5-13

भाग स्टक: 8718

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.6V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 45ns,

इच्छा सुची
SBR130S3-7
Diodes Incorporated

SBR130S3-7

भाग स्टक: 127709

डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBR1A40S1-7
Diodes Incorporated

SBR1A40S1-7

भाग स्टक: 164136

डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S1D-13-F
Diodes Incorporated

S1D-13-F

भाग स्टक: 125556

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

इच्छा सुची
US1B-13-F
Diodes Incorporated

US1B-13-F

भाग स्टक: 109576

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची
S1DB-13-F
Diodes Incorporated

S1DB-13-F

भाग स्टक: 188002

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

इच्छा सुची
DFLS160-7
Diodes Incorporated

DFLS160-7

भाग स्टक: 119623

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
PDS1040-13
Diodes Incorporated

PDS1040-13

भाग स्टक: 143028

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 510mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S5BC-13-F
Diodes Incorporated

S5BC-13-F

भाग स्टक: 125262

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBR2U30P1-7
Diodes Incorporated

SBR2U30P1-7

भाग स्टक: 165103

डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 400mV @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
ZHCS350TA
Diodes Incorporated

ZHCS350TA

भाग स्टक: 144418

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 350mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 350mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.6ns,

इच्छा सुची
SB5100-T
Diodes Incorporated

SB5100-T

भाग स्टक: 148679

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S1A-13-F
Diodes Incorporated

S1A-13-F

भाग स्टक: 131849

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

इच्छा सुची
SDM10P45-7-F
Diodes Incorporated

SDM10P45-7-F

भाग स्टक: 171789

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
ZHCS400TA
Diodes Incorporated

ZHCS400TA

भाग स्टक: 120358

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 400mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 400mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
DFLR1400-7
Diodes Incorporated

DFLR1400-7

भाग स्टक: 197491

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
PD3R1600-7
Diodes Incorporated

PD3R1600-7

भाग स्टक: 161284

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 530ns,

इच्छा सुची
SBR2A40P1-7
Diodes Incorporated

SBR2A40P1-7

भाग स्टक: 103139

डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MMBD914-7-F
Diodes Incorporated

MMBD914-7-F

भाग स्टक: 141458

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

इच्छा सुची
DFLS240L-7
Diodes Incorporated

DFLS240L-7

भाग स्टक: 163887

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
US1M-13-F
Diodes Incorporated

US1M-13-F

भाग स्टक: 111334

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची
DFLS1100-7
Diodes Incorporated

DFLS1100-7

भाग स्टक: 104216

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBR3U30P1-7
Diodes Incorporated

SBR3U30P1-7

भाग स्टक: 117486

डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 430mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S1B-13-F
Diodes Incorporated

S1B-13-F

भाग स्टक: 166472

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

इच्छा सुची
SBR3U60P1-7
Diodes Incorporated

SBR3U60P1-7

भाग स्टक: 192374

डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR0580S1-7
Diodes Incorporated

MBR0580S1-7

भाग स्टक: 175946

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S1G-13-F
Diodes Incorporated

S1G-13-F

भाग स्टक: 108729

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

इच्छा सुची
S1M-13-F
Diodes Incorporated

S1M-13-F

भाग स्टक: 110264

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

इच्छा सुची