डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 420mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 830mV @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 420mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 8A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 85ns,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 400mV @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 540mV @ 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 10A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 8A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 510mV @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 10A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 660mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 510mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 28ns,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Super Barrier, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),