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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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DMN2550UFA-7B
Diodes Incorporated

DMN2550UFA-7B

भाग स्टक: 103826

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 600mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 450 mOhm @ 200mA, 4.5V,

इच्छा सुची
DMN61D9UWQ-13
Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ-13

भाग स्टक: 21560

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 400mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

इच्छा सुची
ZXMP2120FFTA
Diodes Incorporated

ZXMP2120FFTA

भाग स्टक: 159209

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 137mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 28 Ohm @ 150mA, 10V,

इच्छा सुची
DMN2028UFDF-7
Diodes Incorporated

DMN2028UFDF-7

भाग स्टक: 159974

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V,

इच्छा सुची
DMN10H700S-13
Diodes Incorporated

DMN10H700S-13

भाग स्टक: 135827

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 700mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

इच्छा सुची
DMG1013UWQ-13
Diodes Incorporated

DMG1013UWQ-13

भाग स्टक: 151692

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 820mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V,

इच्छा सुची
DMP2022LSS-13
Diodes Incorporated

DMP2022LSS-13

भाग स्टक: 145329

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची
DMP3008SFG-7
Diodes Incorporated

DMP3008SFG-7

भाग स्टक: 107553

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची
DMN3067LW-13
Diodes Incorporated

DMN3067LW-13

भाग स्टक: 165000

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

इच्छा सुची
DMP21D2UFA-7B
Diodes Incorporated

DMP21D2UFA-7B

भाग स्टक: 167702

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 330mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1 Ohm @ 200mA, 4.5V,

इच्छा सुची
DMP32D9UFZ-7B
Diodes Incorporated

DMP32D9UFZ-7B

भाग स्टक: 134256

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.2V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

इच्छा सुची
ZVN4306GTA
Diodes Incorporated

ZVN4306GTA

भाग स्टक: 110967

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

इच्छा सुची
ZVP2106GTA
Diodes Incorporated

ZVP2106GTA

भाग स्टक: 147984

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 450mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा सुची
ZVNL110A
Diodes Incorporated

ZVNL110A

भाग स्टक: 85187

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 320mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा सुची
DMP1022UFDF-13
Diodes Incorporated

DMP1022UFDF-13

भाग स्टक: 163019

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.2V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.8 mOhm @ 4A, 4.5V,

इच्छा सुची
DMN62D0UW-13
Diodes Incorporated

DMN62D0UW-13

भाग स्टक: 136632

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 340mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

इच्छा सुची
DMN1150UFB-7B
Diodes Incorporated

DMN1150UFB-7B

भाग स्टक: 138663

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.41A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 1A, 4.5V,

इच्छा सुची
DMP2023UFDF-7
Diodes Incorporated

DMP2023UFDF-7

भाग स्टक: 105373

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

इच्छा सुची
DMN2056U-7
Diodes Incorporated

DMN2056U-7

भाग स्टक: 122571

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

इच्छा सुची
DMP22D4UFO-7B
Diodes Incorporated

DMP22D4UFO-7B

भाग स्टक: 21558

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 530mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V,

इच्छा सुची
ZVN2106GTA
Diodes Incorporated

ZVN2106GTA

भाग स्टक: 189144

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 710mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

इच्छा सुची
DMP3028LFDE-7
Diodes Incorporated

DMP3028LFDE-7

भाग स्टक: 154395

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V,

इच्छा सुची
DMP3130LQ-7
Diodes Incorporated

DMP3130LQ-7

भाग स्टक: 150665

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 77 mOhm @ 4.2A, 10V,

इच्छा सुची
DMN63D8L-7
Diodes Incorporated

DMN63D8L-7

भाग स्टक: 128228

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 350mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V,

इच्छा सुची
DMT69M8LPS-13
Diodes Incorporated

DMT69M8LPS-13

भाग स्टक: 164017

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10.2A (Ta), 70A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 13.5A, 10V,

इच्छा सुची
DMN2250UFB-7B
Diodes Incorporated

DMN2250UFB-7B

भाग स्टक: 21565

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.35A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 170 mOhm @ 1A, 4.5V,

इच्छा सुची
ZVNL110GTA
Diodes Incorporated

ZVNL110GTA

भाग स्टक: 164391

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 600mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा सुची
ZXM64N02XTA
Diodes Incorporated

ZXM64N02XTA

भाग स्टक: 134557

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.4A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.7V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

इच्छा सुची
DMN61D9UW-7
Diodes Incorporated

DMN61D9UW-7

भाग स्टक: 127904

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 340mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

इच्छा सुची
DMG3406L-7
Diodes Incorporated

DMG3406L-7

भाग स्टक: 182146

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

इच्छा सुची
DMT5015LFDF-7
Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-7

भाग स्टक: 174089

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V,

इच्छा सुची
DMN10H170SK3-13
Diodes Incorporated

DMN10H170SK3-13

भाग स्टक: 155583

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 10V,

इच्छा सुची
DMN31D5UFZ-7B
Diodes Incorporated

DMN31D5UFZ-7B

भाग स्टक: 174305

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 220mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.2V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

इच्छा सुची
DMN2400UFD-7
Diodes Incorporated

DMN2400UFD-7

भाग स्टक: 119418

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 900mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 600 mOhm @ 200mA, 4.5V,

इच्छा सुची
DMP2104V-7
Diodes Incorporated

DMP2104V-7

भाग स्टक: 130887

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V,

इच्छा सुची
DMP2240UW-7
Diodes Incorporated

DMP2240UW-7

भाग स्टक: 196724

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 2A, 4.5V,

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