ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

Diodes Incorporated

DMTH6009LPS-13

भाग स्टक: 134774

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

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DMTH10H015LK3-13

Diodes Incorporated

DMTH10H015LK3-13

भाग स्टक: 190254

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 52.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMP6A16KTC

भाग स्टक: 186476

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.4A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG4466SSS-13

भाग स्टक: 151437

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMPH6023SK3-13

भाग स्टक: 191370

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMT6005LPS-13

भाग स्टक: 153427

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17.9A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.9 mOhm @ 50A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG4812SSS-13

भाग स्टक: 187972

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 10.7A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMT6015LSS-13

भाग स्टक: 133045

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMTH4007SK3-13

भाग स्टक: 164063

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17.6A (Ta), 76A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN3025LSS-13

भाग स्टक: 10822

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMT6010LPS-13

भाग स्टक: 169837

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13.5A (Ta), 80A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG4800LK3-13

भाग स्टक: 167727

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN4040SK3-13

भाग स्टक: 147378

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMTH4007LK3-13

भाग स्टक: 186635

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16.8A (Ta), 70A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP0545GTC

भाग स्टक: 1577

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 450V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 75mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

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DMT10H015LK3-13

Diodes Incorporated

DMT10H015LK3-13

भाग स्टक: 148646

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMTH6005LPS-13

भाग स्टक: 118961

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20.6A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMTH6010LPS-13

भाग स्टक: 141956

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13.5A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN3024LSS-13

भाग स्टक: 134304

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.4A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V,

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DMTH43M8LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH43M8LPSQ-13

भाग स्टक: 10828

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A (Ta), 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.3 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DI9435T

भाग स्टक: 1173

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 5.3A, 10V,

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Diodes Incorporated

MMBF170Q-7-F

भाग स्टक: 161345

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 500mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN63D1L-7

भाग स्टक: 102489

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 380mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6040SVTQ-7

भाग स्टक: 172746

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 44 mOhm @ 4.3A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP1009UFDF-7

भाग स्टक: 9930

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 15A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 mOhm @ 5A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN30H4D0L-7

भाग स्टक: 164487

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 300V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 250mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.7V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN3018SFG-13

भाग स्टक: 187156

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMP10A17E6QTA

भाग स्टक: 115512

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3320A

भाग स्टक: 149462

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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DMN10H170SVTQ-7

Diodes Incorporated

DMN10H170SVTQ-7

भाग स्टक: 149756

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

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Diodes Incorporated

NMSD200B01-7

भाग स्टक: 9911

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DMN3024SFG-13

भाग स्टक: 154463

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMP3A16GTA

भाग स्टक: 164418

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.4A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMT3006LFDF-7

भाग स्टक: 147209

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 14.1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3.7V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7 mOhm @ 9A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN65D8LW-7

भाग स्टक: 157100

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 300mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN10H220LVT-7

भाग स्टक: 167107

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.87A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 220 mOhm @ 1.6A, 10V,

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