सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Pull-Up Resistor, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 7.5mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 16V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Through Hole, वर्तमान - आपूर्ति: 15mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.75V ~ 5.25V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Totem Pole, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Through Hole, वर्तमान - आपूर्ति: 15mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.75V ~ 5.25V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Totem Pole, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 15mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.75V ~ 5.25V,
सेन्सि D दूरी: 0.375" (9.53mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 15mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.75V ~ 5.25V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Inverted, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 7.5mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 16V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 7.5mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 16V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Inverted, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 15mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.75V ~ 5.25V,
सेन्सि Meth विधि: Optical Flag, आउटपुट कन्फिगरेसन: Pull-Up Resistor, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Snap-In, वर्तमान - आपूर्ति: 20mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 8V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Totem Pole, Inverted, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 15mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.75V ~ 5.25V,
सेन्सि D दूरी: 0.080" (2.03mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Totem Pole, Inverted, माउन्टिंग प्रकार: Through Hole, वर्तमान - आपूर्ति: 15mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.75V ~ 5.25V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Through Hole, वर्तमान - आपूर्ति: 7.5mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 16V,
सेन्सि D दूरी: 196.850" (5m), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 25mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 12V ~ 24V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Inverted, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 15mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 12V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Buffer, माउन्टिंग प्रकार: Through Hole, वर्तमान - आपूर्ति: 12mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 10V,
सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Open Collector, Inverted, माउन्टिंग प्रकार: Through Hole, वर्तमान - आपूर्ति: 12mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 10V,
सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: PNP - Open Collector, माउन्टिंग प्रकार: Chassis Mount, वर्तमान - आपूर्ति: 12mA, भोल्टेज - आपूर्ति: 5V ~ 24V,
सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, माउन्टिंग प्रकार: Snap-In, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V,
