आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, आर @ वर्तमान: 130 mOhms, व्यास: 0.512" (13mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 1A, आर @ वर्तमान: 680 mOhms, व्यास: 0.315" (8mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.250" (6.35mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 4 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 23A, आर @ वर्तमान: 20 mOhms, व्यास: 1.220" (31mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 150 mOhms,
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 20A, आर @ वर्तमान: 30 mOhms, व्यास: 1.220" (31mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 47 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 490 mOhms, व्यास: 0.748" (19mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 20 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 8A, आर @ वर्तमान: 220 mOhms, व्यास: 1.18" (30mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 500 mOhms, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 50A, आर @ वर्तमान: 8 mOhms, व्यास: 1.38" (35mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.748" (19.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 1 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 20A, आर @ वर्तमान: 15 mOhms,
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 500 mOhms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 30A, आर @ वर्तमान: 60 mOhms, व्यास: 1.220" (31mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 220 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 1A, आर @ वर्तमान: 4.2 Ohms, व्यास: 0.472" (12.00mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 500 mOhms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 16A, आर @ वर्तमान: 20 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 60 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 930 mOhms, व्यास: 0.63" (16mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 120 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 900 mOhms, व्यास: 0.925" (23.50mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.310" (7.87mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, आर @ वर्तमान: 250 mOhms,
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 20 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, आर @ वर्तमान: 400 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 30 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 300 mOhms, व्यास: 0.591" (15.00mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 50 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 440 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 180 mOhms, व्यास: 0.315" (8mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.201" (5.10mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 120 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 880 mOhms,
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 120 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 2.34 Ohms, व्यास: 0.472" (12.00mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6A, आर @ वर्तमान: 60 mOhms, व्यास: 0.591" (15.00mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 40 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4.1A, आर @ वर्तमान: 280 mOhms, व्यास: 0.59" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 16 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 338 mOhms, व्यास: 0.610" (15.50mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 700 mOhms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 11A, आर @ वर्तमान: 18 mOhms, व्यास: 0.886" (22.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.394" (10.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 3 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6.1A, आर @ वर्तमान: 110 mOhms, व्यास: 0.59" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.300" (7.62mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 4 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5.5A, आर @ वर्तमान: 130 mOhms, व्यास: 0.59" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.300" (7.62mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 7.8A, आर @ वर्तमान: 80 mOhms, व्यास: 0.787" (20mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.300" (7.62mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 8 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3.6A, आर @ वर्तमान: 250 mOhms, व्यास: 0.51" (13mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.300" (7.62mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6A, आर @ वर्तमान: 100 mOhms, व्यास: 0.59" (15mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.310" (7.87mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 18A, आर @ वर्तमान: 30 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.310" (7.87mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 8A, आर @ वर्तमान: 40 mOhms, व्यास: 0.55" (13.97mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 8A, आर @ वर्तमान: 60 mOhms, व्यास: 0.77" (19.56mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.328" (8.33mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 33 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 500mA, आर @ वर्तमान: 1.485 Ohms, व्यास: 0.45" (11.4mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.200" (5.08mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 150 mOhms, व्यास: 0.60" (15.24mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.200" (5.08mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 22 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2.5A, व्यास: 0.197" (5mm),
