आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 200 mOhms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 80A, आर @ वर्तमान: 0.004 Ohms, व्यास: 2.677" (68.00mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 1.339" (34.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 60 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 730 mOhms, व्यास: 0.63" (16mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6A, आर @ वर्तमान: 110 mOhms, व्यास: 0.748" (19mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 8A, आर @ वर्तमान: 60 mOhms, व्यास: 0.748" (19mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 4 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 230 mOhms, व्यास: 0.315" (8.00mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.201" (5.10mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 60 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 409 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 15A, आर @ वर्तमान: 30 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.315" (8.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 15A, आर @ वर्तमान: 30 mOhms, व्यास: 0.90" (22.86mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.350" (8.89mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 9A, आर @ वर्तमान: 40 mOhms, व्यास: 0.63" (16mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 50 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 6A, आर @ वर्तमान: 330 mOhms, व्यास: 1.181" (30mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 9A, आर @ वर्तमान: 40 mOhms,
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 9A, आर @ वर्तमान: 100 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 18A, आर @ वर्तमान: 30 mOhms, व्यास: 0.90" (22.86mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.310" (7.87mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 1 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 10A, आर @ वर्तमान: 30 mOhms, व्यास: 0.512" (13mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.511" (13.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 75 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 410 mOhms, व्यास: 0.91" (23mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 120 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 1.22 Ohms, व्यास: 0.63" (16mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 23A, आर @ वर्तमान: 20 mOhms, व्यास: 1.220" (31mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 4 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 14A, आर @ वर्तमान: 50 mOhms,
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4A, आर @ वर्तमान: 200 mOhms, व्यास: 0.394" (10.00mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 14 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, आर @ वर्तमान: 120 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 10A, आर @ वर्तमान: 40 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 12A, आर @ वर्तमान: 50 mOhms, व्यास: 0.866" (22mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 40 Ohms, सहनशीलता: ±25%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 4.1A, आर @ वर्तमान: 280 mOhms, व्यास: 0.67" (17mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, व्यास: 0.394" (10mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 10 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 15A, आर @ वर्तमान: 110 mOhms, व्यास: 1.220" (31mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.307" (7.80mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 22 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 563 mOhms, व्यास: 0.511" (13mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 12 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 3A, आर @ वर्तमान: 316 mOhms, व्यास: 0.610" (15.50mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 8A, आर @ वर्तमान: 52 mOhms, व्यास: 0.689" (17.5mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.394" (10.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 33 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 500mA, आर @ वर्तमान: 1.485 Ohms, व्यास: 0.354" (9.0mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.2 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, व्यास: 0.394" (10mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.295" (7.50mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 22 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2.5A, व्यास: 0.197" (5mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 4 Ohms, सहनशीलता: ±15%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2.3A, व्यास: 0.276" (7mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.197" (5.00mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5.9A, आर @ वर्तमान: 150 mOhms, व्यास: 0.787" (20mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.300" (7.62mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 40 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 2A, आर @ वर्तमान: 800 mOhms, व्यास: 0.51" (13mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.300" (7.62mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 4 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 5A, आर @ वर्तमान: 110 mOhms, व्यास: 0.650" (16.51mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.300" (7.62mm),
आर @ २° डिग्री सेल्सियस: 5 Ohms, सहनशीलता: ±20%, वर्तमान - स्थिर राज्य अधिकतम: 7A, आर @ वर्तमान: 70 mOhms, व्यास: 0.925" (23.50mm), नेतृत्व स्पेसिंग: 0.310" (7.87mm),
