अप्टिकल सेन्सर - Photointerrupters - स्लट प्रकार -

OPB882T51Z

भाग स्टक: 19541

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB840W11Z

भाग स्टक: 14420

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB690Z

भाग स्टक: 19972

सेन्सि Meth विधि: Optical Flag, आउटपुट कन्फिगरेसन: Transistor, Base-Emitter Resistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB800W55Z

भाग स्टक: 19867

सेन्सि D दूरी: 0.375" (9.53mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB801L55

भाग स्टक: 33176

सेन्सि D दूरी: 0.375" (9.53mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB660N

भाग स्टक: 34404

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Transistor, Base-Emitter Resistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V,

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OPB880T55Z

भाग स्टक: 19594

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB350W062Z

भाग स्टक: 11446

सेन्सि D दूरी: 0.063" (1.6mm), सेन्सि Meth विधि: Liquid, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB880L51Z

भाग स्टक: 19276

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB871N51

भाग स्टक: 35386

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPS693

भाग स्टक: 55538

सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB828D

भाग स्टक: 35068

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB100Z

भाग स्टक: 12199

सेन्सि D दूरी: 12" (304.8mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB350W250Z

भाग स्टक: 11422

सेन्सि D दूरी: 0.250" (6.35mm), सेन्सि Meth विधि: Liquid, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB825R

भाग स्टक: 36329

सेन्सि D दूरी: 0.160" (4.06mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB831W51Z

भाग स्टक: 17924

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB365N11

भाग स्टक: 29919

सेन्सि D दूरी: 0.125" (3.18mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB350L187

भाग स्टक: 15297

सेन्सि D दूरी: 0.188" (4.78mm), सेन्सि Meth विधि: Liquid, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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OPB815L

भाग स्टक: 29913

सेन्सि D दूरी: 0.375" (9.53mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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EE-SX1088

भाग स्टक: 19068

सेन्सि D दूरी: 0.134" (3.4mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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EE-SJ8-B

भाग स्टक: 11701

सेन्सि D दूरी: 0.315" (8mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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EE-SV3-D

भाग स्टक: 9679

सेन्सि D दूरी: 0.134" (3.4mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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Vishay Semiconductor Opto Division

EE-SX1042

भाग स्टक: 21566

सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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TCPT1350X01

भाग स्टक: 109658

सेन्सि D दूरी: 0.118" (3mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 15mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V,

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1103

भाग स्टक: 47579

सेन्सि D दूरी: 0.122" (3.1mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 70V,

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1300X01

भाग स्टक: 99768

सेन्सि D दूरी: 0.118" (3mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 25mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V,

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Lite-On Inc.

LTH-301-05

भाग स्टक: 60564

सेन्सि D दूरी: 0.236" (6mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: Phototransistor, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

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EE-SX976P-C1

भाग स्टक: 2350

सेन्सि D दूरी: 0.020" (0.5mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

ईच्छाको लागि

EE-SX952-R 3M

भाग स्टक: 2071

सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V,

ईच्छाको लागि

EE-SX952P-R 1M

भाग स्टक: 2506

सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Transmissive, आउटपुट कन्फिगरेसन: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V,

ईच्छाको लागि