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ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल

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  • ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल
2N5401
ON Semiconductor

2N5401

भाग स्टक: 5177

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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2N6487
ON Semiconductor

2N6487

भाग स्टक: 5242

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 3.5V @ 5A, 15A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 20 @ 5A, 4V,

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2N6426RLRAG
ON Semiconductor

2N6426RLRAG

भाग स्टक: 5224

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 500µA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30000 @ 100mA, 5V,

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2N5401ZL1
ON Semiconductor

2N5401ZL1

भाग स्टक: 5166

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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2N5401RL1G
ON Semiconductor

2N5401RL1G

भाग स्टक: 5191

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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2N4123RLRM
ON Semiconductor

2N4123RLRM

भाग स्टक: 5179

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

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2N4401G
ON Semiconductor

2N4401G

भाग स्टक: 5198

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

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2N4403RLRMG
ON Semiconductor

2N4403RLRMG

भाग स्टक: 5243

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

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2N3904_D27ZS00Z
ON Semiconductor

2N3904_D27ZS00Z

भाग स्टक: 5217

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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2N5400_D27Z
ON Semiconductor

2N5400_D27Z

भाग स्टक: 5200

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

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2N5962_D26Z
ON Semiconductor

2N5962_D26Z

भाग स्टक: 5201

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 500µA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 2nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 600 @ 10mA, 5V,

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2N5830_D26Z
ON Semiconductor

2N5830_D26Z

भाग स्टक: 5187

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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2N3702_D75Z
ON Semiconductor

2N3702_D75Z

भाग स्टक: 5144

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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2N3905_D29Z
ON Semiconductor

2N3905_D29Z

भाग स्टक: 5199

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

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2N5087_S00Z
ON Semiconductor

2N5087_S00Z

भाग स्टक: 5135

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

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2N5307_D74Z
ON Semiconductor

2N5307_D74Z

भाग स्टक: 5183

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.4V @ 200µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2mA, 5V,

इच्छा सुची
2N5086TA
ON Semiconductor

2N5086TA

भाग स्टक: 5153

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 150 @ 100µA, 5V,

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2N5551_J05Z
ON Semiconductor

2N5551_J05Z

भाग स्टक: 6572

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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2N6428ATA
ON Semiconductor

2N6428ATA

भाग स्टक: 5150

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 25nA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

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2N5401TAR
ON Semiconductor

2N5401TAR

भाग स्टक: 6516

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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2N5308_D26Z
ON Semiconductor

2N5308_D26Z

भाग स्टक: 5133

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.4V @ 200µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

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2N4401_J60Z
ON Semiconductor

2N4401_J60Z

भाग स्टक: 5201

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

इच्छा सुची
2N5307
ON Semiconductor

2N5307

भाग स्टक: 6584

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.4V @ 200µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2mA, 5V,

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2N5088TFR
ON Semiconductor

2N5088TFR

भाग स्टक: 5196

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

इच्छा सुची
2N4400TAR
ON Semiconductor

2N4400TAR

भाग स्टक: 5161

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

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2N4400_S00Z
ON Semiconductor

2N4400_S00Z

भाग स्टक: 6586

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

इच्छा सुची
2N3417_D26Z
ON Semiconductor

2N3417_D26Z

भाग स्टक: 5203

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 3mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

इच्छा सुची
2N3416_D29Z
ON Semiconductor

2N3416_D29Z

भाग स्टक: 5205

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 3mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V,

इच्छा सुची
2N5087TFR
ON Semiconductor

2N5087TFR

भाग स्टक: 6534

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

इच्छा सुची
2N5089TA
ON Semiconductor

2N5089TA

भाग स्टक: 6523

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

इच्छा सुची
2N6519TA
ON Semiconductor

2N6519TA

भाग स्टक: 5180

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 300V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 40 @ 50mA, 10V,

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2N4400TFR
ON Semiconductor

2N4400TFR

भाग स्टक: 5166

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

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2N4401NLBU
ON Semiconductor

2N4401NLBU

भाग स्टक: 5161

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

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2N4123TF
ON Semiconductor

2N4123TF

भाग स्टक: 5156

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

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2N3904CBU
ON Semiconductor

2N3904CBU

भाग स्टक: 5202

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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2N4125_S00Z
ON Semiconductor

2N4125_S00Z

भाग स्टक: 5167

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

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