मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 288K (8K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 144K (8K x 9 x 2), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 33.3MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 100mA,
मेमोरी साइज: 72k (1k x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 4.7M (131K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 20mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 20mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 20mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (64K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 90mA,
मेमोरी साइज: 18K (2K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 144K (8K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 288K (32K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 33.3MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 12mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 25MHz, पहुँच समय: 30ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 100mA,
मेमोरी साइज: 72K (4K x 18)(8K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 72K (4K x 18)(8K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 18K (1K x 18)(2K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 72K (4K x 9 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 144K (16K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
मेमोरी साइज: 4.6K (256 x 9 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 4.6K (256 x 9 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 64 (16 x 4), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28MHz, पहुँच समय: 40ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V,
मेमोरी साइज: 64 (16 x 4), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 36MHz, पहुँच समय: 34ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V,
मेमोरी साइज: 256 (64 x 4), समारोह: Asynchronous, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V,
मेमोरी साइज: 256 (64 x 4), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 10MHz, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 160mA,
मेमोरी साइज: 576 (64 x 9), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 85MHz, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 150mA,
